የአካባቢ ሙቀት በ ጠቃሚ ስራ

ክፍል 1. አንዳንድ ውሎች እና ትርጓሜዎች.

የ electromotive ኃይል (emf) የአሁኑ ምንጭ ... ውጫዊ ኃይል ወደ ኤሌክትሮ እና electrodes መካከል ያለውን ድንበር ላይ ሕዋሳት electroplating ላይ እርምጃ ሙስሉሞችን ጥረዛ ውጫዊ ኃይል መስክ ክፍል ነው. በተጨማሪም ሁለት dissimilar ማዕድናት መካከል ያለውን ድንበር ላይ ለማከናወን እና [5 therebetween የእውቂያ እምቅ ልዩነት, ገጽ ይወስናል. 193, 191]. መጠን የወረዳ ክፍል በሙሉ ክፍል ቦታዎች ላይ አቅም ያለውን ሰንሰለት ጫፎች በሚገኘው conductors መካከል ያለውን እምቅ ልዩነት, እኩል ነው ቢዘል, እና electromotive ኃይል emf የኦርኬስትራ የወረዳ ይባላል ... ብቻ የመጀመሪያው ዓይነት ያለውን conductors ባካተተ ሰንሰለት የመጀመሪያው እና ቀጥተኛ በእነርሱ (ቮልታ ሕግ) ያነጋግሩ ... የወረዳ በተገቢው ክፍት ከሆነ emf ውስጥ የመጨረሻው የጥናቱ መካከል ያለውን እምቅ ዝላይ ጋር እኩል ነው ይህ የወረዳ ዜሮ ነው. ቢያንስ አንድ ኤሌክትሮ የሚመለከተውን ሕግ ቮልት ... ግልጽ ነው, ሁለተኛው ዓይነት ቢያንስ አንድ የኦርኬስትራ ሙስሉሞችን ብቻ የኦርኬስትራ የወረዳ electrochemical ሕዋሳት (ወይም ሰንሰለቶች electrochemical ንጥረ) ናቸው [1, ገጽ የሚጨምረውን ክፍት-የወረዳ የኦርኬስትራ, ለማስተካከል. 490 - 491].

Polyelectrolytes በመሆኑም ተመሳሳይ macromolecule ውስጥ, ክስ ... crosslinked polyelectrolytes (አዮን የማስተላለፍ, ተደጋጋሚ ብዙ ቁጥር, መፍትሄ ውስጥ አየኖች ወደ dissociating ችሎታ ፖሊመሮች ናቸው አዮን-ልውውጥ ሙጫ) አላቅቅ ችሎታ [6, ገጽ በማስቀረት ሳለ ማማ አይደለም, ብቻ, እግራቸውም አላበጠም. 320 - 321]. Polyelectrolytes አሉታዊ እንዲከፍል macroion ወደ አላቅቅ እና ሸ + አየኖች polyacids ይባላል እና poliosnovaniyami ተብሎ በአዎንታዊ እንዲከፍሉ አየኖች እና OH- macroion ወደ dissociates ነው.

Donnan የተፈጠሩበት እምቅ ይህን ገደብ ሁሉንም አየኖች permeable አይደለም ከሆነ በሁለቱ electrolytes መካከል ዙር ድንበር ላይ የሚከሰተው ያለውን እምቅ ልዩነት ነው. አንዳንድ አየኖች ለ Impermeability ገደቦች, የተከሰተ ሊሆን ይችላል ለምሳሌ ያህል, አንድ የተወሰነ መጠን በላይ ቅንጣቶች የሚሆን ሊቋረጥ ናቸው ይህም በጣም ጠባብ ቀዳዳዎች ጋር ሽፋን ፊት. የ በይነገጽ መራጮች permeability የሚከሰተው እና ማንኛውም አየኖች ጠንከር በአጠቃላይ መውጣት አይችሉም ዘንድ ደረጃዎች አንዱ ጋር የተገናኘ ከሆነ. በትክክል ዋህስ አዮን ልውውጥ ሙጫዎች ጠባይ, ወይም አዮን-ልውውጥ ቡድን የሞለኪውል በፍርግርጉ ወይም ማትሪክስ ውስጥ homopolar ቦንድ አስተካክለናል. መፍትሄው, አንድ ነጠላ ዙር ጋር አብረው ያሉ ማውጫዎችን ቅጾች ውስጥ መሆን; መፍትሄ, ውጭ የሚገኙ - 7 ሁለተኛው [. 77].

የኤሌክትሪክ ድርብ ንብርብር (EDL) እርስ በርስ [7 ከ የተወሰነ ርቀት ላይ ዝንባሌ oppositely የሚከፍሉ የንብርብሮች የተቀመጠውን ሁለት ደረጃዎች መካከል በይነገጽ ላይ እየተካሄደ ነው. 96].

Peltier የእውቂያ [2, ገጽ በኩል የሚፈሰው የኤሌክትሪክ የአሁኑ አቅጣጫ ላይ የሚወሰን ሁለት የተለያዩ conductors መካከል ያለውን ግንኙነት ላይ ሙቀት ይህን መገለል ወይም ለመምጥ ተፅዕኖ. 552].

ክፍል 2: ውኃ በኮረንታዊ ውስጥ ሙቀት በመካከለኛ መጠቀም.

የበለስ ውስጥ schematically የሚታየው electrochemical ሕዋስ (ከዚህ ንጥረ) መካከል የወረዳ መካከል ክስተት ያለውን ዘዴ እንመልከት. 1, የውስጥ ግንኙነት እምቅ ልዩነት (PKK) እና Donnan ውጤት ጋር (የ Donnan ውጤት ማንነት አጭር መግለጫ, የውስጥ PKK እና ተያይዞ Peltier ሙቀት ርዕስ በሦስተኛው ክፍል ውስጥ ነው የሚቀርበው) ምክንያት ተጨማሪ emf.

በለስ. አንድ electrochemical ሕዋስ 1. በሚጫወቱት ውክልና: 1 - ስለ ካቶድ 3 መፍትሔ ጋር ያገኟቸው ነው, የ ኤሌክትሮ cations መካከል electrochemical ቅነሳ ምላሽ አንድ በኬሚካል ሲያፈርስና በከፍተኛ doped n-semiconductor የተሠሩ በራሱ ላዩን, ላይ ይከሰታል. metallized ውጫዊ ቮልቴጅ ምንጭ ጋር በማገናኘት ወደ ካቶድ ክፍል; 2 - የ anode ከእርሱ በኬሚካሉ ሲያፈርስና በከፍተኛ doped ገጽ-semiconductor የተሠራ ኤሌክትሮ anions, ስለ electrochemical oxidation ምላሽ ሊከሰት ላዩን ላይ, 4 መፍትሔ ጋር ያገኘሃቸው ነው. metallized ውጫዊ ቮልቴጅ ምንጭ ጋር በማገናኘት ወደ anode ክፍል; 3 - macroion ላይ ውሃ ውስጥ dissociating ካቶድ ቦታ, polyelectrolyte መፍትሄ, አሉታዊ እንዲከፍሉ R- እና አዎንታዊ ክስ counterions አነስተኛ K + (በአሁኑ ምሳሌ ውስጥ የሃይድሮጂን አዮን ሸ + ነው); 4 - አዎንታዊ እንዲከፍሉ macroion R + እና አሉታዊ ክስ counterions አነስተኛ A- ወደ dissociating ውኃ ውስጥ anode ክፍል polyelectrolyte መፍትሄ (በዚህ ምሳሌ ውስጥ hydroxide አየኖች OH-); 5 - የ ገለፈት (ድልሺ), macromolecules (macroion) polyelectrolytes ወደ impermeable, ነገር ግን ትንሽ counterions K + A- እና የውኃ ሞለኪውሎች የተጋራ ቦታ 3 እና 4 ላይ ሙሉ በሙሉ permeable ነው; Evnesh - ውጫዊ ቮልቴጅ ምንጭ.

Emf Donnan ውጤት በ

aqueous poliosnovaniya (R + OH-) - ስለማቋረጥ ለማግኘት ካቶድ ቦታ (. 3, ስእል 1) ያለውን ኤሌክትሮ aqueous polyacid መፍትሔ (R-ሸ +), የ ኤሌክትሮ እና (1. በለስ 4,) ወደ anode ክፍል ተመርጧል. በ ካቶድ ክፍል ውስጥ dissociation polyacids አንድ በዚህም ምክንያት ካቶድ (1, የበለስ. 1) ወለል አጠገብ, H + አየኖች አንድ ጨምሯል የማጎሪያ አለ. የ ካቶድ ወለል አካባቢ ውስጥ እንዳይታይ አዎንታዊ ክፍያ ጀምሮ, አሉታዊ እንዲከፍሉ macroions R- ይካሳል አይደለም (ዝርዝር ለማየት ለ. ርዕስ ሦስተኛ ክፍል አባሪ №1 ላይ መግለጫ Donnan ውጤት) እነርሱ ምክንያት መጠኑን እና በአዎንታዊ ክስ ዋህስ ከባቢ ፊት ወደ ካቶድ ያለውን ወለል ቅርብ ሊመጣ አይችልም. በመሆኑም በቀጥታ ካቶድ ወለል ጋር ግንኙነት ውስጥ መፍትሔ ድንበር ንብርብር አዎንታዊ ክፍያ አለው. በዚህም ምክንያት, ወደ ካቶድ ገጽ ላይ electrostatic ቀጣሪያቸው, መፍትሔው ጋር contiguous ወደ conduction የኤሌክትሮማግኔቲክ የሆነ አሉታዊ ክፍያ አለ. IE የ ካቶድ ወለል እና DES መፍትሔ መካከል በይነገጽ ላይ ይከሰታል. የ DES መካከል መስክ ካቶድ ከ የኤሌክትሮማግኔቲክ የሚገፋን - ወደ መፍትሄ ነው.

በተመሳሳይም, በቀጥታ anode ወለል ጋር ግንኙነት ውስጥ anode (2, የበለስ. 1), በ anode ክፍል ውስጥ መፍትሔ ወሰን ንብርብር (4, የበለስ. 1) ላይ አሉታዊ ክፍያ ያለው, እና anode ወለል ላይ, መፍትሄ ጋር contiguous, አዎንታዊ ክፍያ አለ. IE የ anode ወለል እና መፍትሄ መካከል በይነገጽ ላይ ደግሞ DES የሚከሰተው. አንድ anode - የ DES የመስክ መፍትሄ ከ የኤሌክትሮማግኔቲክ የሚገፋን.

በመሆኑም መፍትሄ ጋር ካቶድ እና anode በየነገጽ ላይ DES መስክ, የሚደገፍ አማቂ መፍትሔ አዮን የበላይነት, ማለትም, ከውጭ ምንጭ ጋር ኮንሰርት ላይ እርምጃ በመውሰድ, ሁለት ውስጣዊ emf ምንጭ ናቸው; አሽከርክር ማሳውቅ አሉታዊ ክስ ላይ እንዲተገበር.

. በተጨማሪም Dissociation poliosnovaniya polyacids እና cathodic ቦታ ከ ገለፈት (5, ስእል 1) H + አየኖች በኩል አማቂ ደረጃጀት ያስከትላል - ወደ anode ወደ እንዲሁም anode ክፍል ከ OH- አየኖች - አንድ ካቶድ. አንድ ያለፈ አዎንታዊ ክፍያ, ማለትም, - የለም አንድ ትርፍ አሉታዊ ክፍያ ነው, እና anodic ቦታ ከ ካቶድ ቦታ እንዲሁ Macroion R + እና R- polyelectrolytes, የ ገለፈት በኩል መውሰድ አይችሉም ሌላ DPP ወደ Donnan ውጤት ምክንያት የለም. በመሆኑም ገለፈት ደግሞ ሙቀት ደረጃጀት አንድ ውጫዊ ምንጭ ጋር ኮንሰርት ላይ እርምጃ በመውሰድ, ወደ emf ውስጥ ተጠቅሶ እና አየኖች መፍትሄ ጠብቋል.

በእኛ ምሳሌ ውስጥ, ገለፈት ዙሪያ ያለውን ቮልቴጅ እንደ 0.83 ቮልት ሊደርስ ይችላል የ anode ክፍል ወደ ካቶድ ክፍል አሲዳማ አካባቢ ውስጥ የአልካላይን መካከለኛ ከ ሽግግር በ 0.83 0 ቮልት - ከዚህ መደበኛ ሃይድሮጂን electrode መካከል እምቅ ውስጥ ለውጥ ጋር ይዛመዳል. ዝርዝሮችን ለማግኘት ርዕስ ሦስተኛው ክፍል አባሪ №1 በ. ይመልከቱ.

Emf ከውስጥ ከ PKK

የ አባል emf ይህ ውጫዊ ቮልቴጅ ምንጭ ለመገናኘት በማገልገል ያላቸውን የብረት ክፍሎች ወደ የእውቂያ semiconductor anode እና ካቶድ ውስጥ ጨምሮ, የሚከሰተው. ይህ emf ውስጣዊ PKK ምክንያት. የውስጥ ከሆነ የእውቂያ conductors ዙሪያ ያለውን ቦታ ውስጥ ውጫዊ መስክ በተቃራኒ, አይፈጥርም, ማለትም ይህ conductors ውጭ ክስ ቅንጣቶች መካከል ያለውን እንቅስቃሴ ላይ ተጽዕኖ የለውም. ኮንስትራክሽን n-semiconductor / ብረት / p-semiconductor በበቂ የሚታወቅ ሲሆን, ለምሳሌ ያህል, አንድ thermoelectric ይውላል Peltier ሞዱል. የ emf ምን ያህል ስፋት 0.6 ቮልት [5, ገጽ - ክፍል የሙቀት መጠን ላይ እንደዚህ ያለ መዋቅር 0.4 ትዕዛዝ እሴቶች ላይ መድረስ ይችላሉ. 459; 2, ገጽ. 552]. እውቂያዎች ውስጥ መስኮች እነሱ ማሳውቅ አሽከርክር የኤሌክትሮማግኔቲክ መግፋት በሚያስችል መንገድ, ማለትም ውስጥ በቀጥታ ነው ውጫዊ ምንጭ ጋር ኮንሰርት ላይ ድርጊት. የ የኤሌክትሮማግኔቲክ በ Peltier ሙቀት ውጠው በመካከለኛ ያለውን የኃይል ደረጃ ማሳደግ.

የውስጥ ወደ electrodes እና መፍትሄ ያለውን የእውቂያ አካባቢዎች ውስጥ የኤሌክትሮማግኔቲክ ያለውን የበላይነት ምክንያት የሚነሱ ከሆነ, በተቃራኒው, ማሳውቅ ውስጥ አሽከርክር አቅጣጫ የኤሌክትሮማግኔቲክ የሚገፋን. IE አሽከርክር እነዚህን እውቂያዎች ውስጥ አባል ውስጥ የኤሌክትሮማግኔቲክ ያለውን እንቅስቃሴ Peltier ሙቀት ይመደባል አለበት. ነገር ግን ስለ ወደ መፍትሄ ወደ ሆነ anode ውስጥ መፍትሄ ያለውን ካቶድ ጀምሮ የኤሌክትሮማግኔቲክ መካከል ማስተላለፍ የግድ ወደ ሃይድሮጅን እና ኦክስጅን በመፍጠር አንድ endothermic ምላሽ ማስያዝ ነው, የ Peltier ሙቀት ወደ መካከለኛ ወደ የተለቀቁ እና endothermic ውጤት ለመቀነስ ነው አይደለም ነው, ማለትም እንደ ሃይድሮጅን እና ኦክስጅን ምስረታ enthalpy ውስጥ "ያሰኛቸው". ዝርዝሮችን ለማግኘት ተመልከት. በዚህ ርዕስ ሦስተኛው ክፍል №2 አባሪ ውስጥ.

ሞደሞች (የኤሌክትሮማግኔቲክ እና አየኖች) የተዘጉ ጥርጊያውንም, በ አባሉ ውስጥ ምንም ክፍያ አንድ ዝግ ወረዳ ውስጥ መንቀሳቀስ አይደለም እንጂ አባል የወረዳ ውስጥ መንቀሳቀስ. እያንዳንዱ በኤሌክትሮን anode (የኦክስጅን ሞለኪውሎች ወደ OH- አየኖች oxidation አካሄድ ውስጥ) መፍትሄ የተገኙ ሲሆን ካቶድ ውጫዊ ወረዳ በኩል አለፉ; (አየኖች H + መካከል ማግኛ ሂደት ውስጥ) ሃይድሮጂን ሞለኪውሎች ጋር አብረው volatilized ነው. በተመሳሳይ OH- እና ሸ + ብቻ እንጂ ተጓዳኝ electrode ወደ አንድ ዝግ ወረዳ ውስጥ መንቀሳቀስ; ከዚያም የሞለኪውላር ሃይድሮጅን እና ኦክስጅን መልክ ተነነ አይደለም አየኖች. IE እንዲሁም አየኖች እያንዳንዱ DES ያለውን በማፋጠን መስክ ውስጥ አካባቢ የሚንቀሳቀሱ የኤሌክትሮማግኔቲክ, እና መንገድ መጨረሻ, እነርሱ electrode ያለውን ወለል መላውን የተከማቹ ኃይል በመለወጥ, በ ሞለኪውል ላይ ይጣመራሉ ለመድረስ ጊዜ - አንድ የኬሚካል ቦንድ ያለውን ኃይል, እና ማሳውቅ ወጣ!

emf ያለውን የውስጥ ምንጮች ሁሉም አባለ ለመቀነስ ውሃ በኮረንታዊ ውጫዊ ምንጭ ወጪዎችዎን. በመሆኑም DES ስለ A ደረጃጀት ለመጠበቅ በውስጡ ክወና ወቅት ንጥረ በመቅሰም ወደ ድባብ ውስጥ ሙቀት, ማለትም, ውጫዊ ምንጭ ወጪ ለመቀነስ ነው, ይህ በኮረንታዊ ብቃት ይጨምራል.

ማንኛውም ውጫዊ ምንጭ ያለ ውሃ በኮረንታዊ.

ከገመገሙ በ ሂደቶች የበለስ ውስጥ የሚታየው አባሉ ውስጥ የተከሰቱ. 1, ውጫዊ ምንጭ ግቤቶች መለያ ደንታቸው አይደለም ናቸው. በውስጣዊ መቋቋም ኛ እኩል ነው እና 0. አንድ ቮልቴጅ ይህ እንበል Evnesh ንጥረ electrodes አንድ ዝምብለን ጭነት ወደ shorted ናቸው (የበለስ. 5 ተመልከት). በዚህ ሁኔታ ውስጥ, ንጥረ ውስጥ በይነገጽ ላይ የሚነሱ DES መስኮች አመራር እና ጥልቀት ተመሳሳይ ይቀራሉ.

በለስ. 5. ይልቅ Evnesh (የበለስ. 1) መሰብሰብን ጭነት RL ጨምሮ.

በዚህ አባሉ ውስጥ ድንገተኛ የአሁኑ ፍሰት ሁኔታዎች ይወስናሉ. በጽሁፉ በሦስተኛው ክፍል አባሪ №1 ያለውን ቀመር (1) መሠረት, የ ጊብስ እምቅ መቀየር:

Δ ጂ መድረሻ = (Δ ሸ መድረሻ - n) + Q ን Mod

ከሆነ P> Δ ሸ + Q ን Mod Mod = 284,5 - 47.2 = 237.3 (ኪጁ / mol) = 1.23 (EV / ሞለኪውል)

የ Δ G መድረሻ <0 እና ድንገተኛ ሂደት ይቻላል.

እኛ ንጥረ ሃይድሮጂን ትውልድ ምላሽ አንድ አልካላይን (0.4 ቮልት መካከል electrode እምቅ) ውስጥ አሲዳማ መካከለኛ ውስጥ (electrode 0 ቮልት መካከል እምቅ), እና ኦክስጅን ሲከሰት መሆኑን ይበልጥ እንመለከታለን. እንዲህ electrode አቅም አንድ ሽፋን (5, የበለስ. 5), ይህ 0.83 ቮልት መሆን ያለበት የትኛው ላይ ያለውን ቮልቴጅ ያቀርባል. IE ወደ ሃይድሮጅን እና ኦክስጅን ምስረታ ለማግኘት የሚያስፈልገውን የኃይል 0.83 (EV / ሞለኪውል) ሊቀነስ ነው. ከዚያም ድንገተኛ ሂደት ሊኖር ሁኔታ ያደርጋል:

P> 1.23 - 0.83 = 0.4 (EV / ሞለኪውል) = 77.2 (ኪጁ / mol) (2)

እኛም ለማግኘት ወደ ሃይድሮጅን እና ኦክስጅን ሞለኪውሎች የኃይል አጥር, ርካሽና እና ውጫዊ ቮልቴጅ ምንጭ በመጠቀም ያለ ነው. IE እንኳን n = 0.4 (EV / ሞለኪውል), ማለትም በ ጊዜ ውስጣዊ electrode HPDC 0.4 ቮልት, ንጥረ ተለዋዋጭ የተፈጠሩበት የሆነ ሁኔታ ውስጥ ይሆናሉ, እና ቀሪ ሁኔታ ማንኛውም (እንኳን ትንሽ) ለውጥ የወረዳ ውስጥ የአሁኑን ያደርጋል.

ወደ electrodes ላይ ምላሽ ወደ ሌላው እንቅፋት ደግሞ ገቢር ኃይል ነው, ነገር ግን ሊያስወግደው ነው , በዋሻው ውጤት ወደ electrodes እና መፍትሄ [7, ገጽ መካከል ያለው ክፍተት ያለውን ትንሽነት ምክንያት የሚነሱ. 147-149].

በመሆኑም, የኃይል ግምት መሠረት ላይ, እኛ የበለስ ላይ የሚታየው ኤለመንት ውስጥ ድንገተኛ የአሁኑ መደምደም. 5, የሚቻል ነው. ይሁን እንጂ አካላዊ ምን ምክንያቶች ይህ የአሁኑ ሊያስከትል ይችላል? እነዚህ ምክንያቶች ከዚህ በታች ተዘርዝረዋል:

1. መፍትሄ ወደ anode ከ ሽግግር እድል ከፍ መፍትሔ ወደ ካቶድ ከ የኤሌክትሮማግኔቲክ መካከል ሽግግር ዕድል, ጀምሮ n-semiconductor ካቶድ ነጻ የሆነ ከፍተኛ ኃይል ደረጃ ጋር የኤሌክትሮማግኔቲክ, እና P-semiconductor anode ብዙ አለው - ብቻ "ቀዳዳዎች", እና እነዚህ "ቀዳዳዎች" ወደ ካቶድ የኤሌክትሮማግኔቲክ በታች የሆነ የኃይል ደረጃ ላይ ናቸው;

2. ሽፋን አንድ አሲዳማ አካባቢ ያለውን ካቶድ ቦታ ላይ የተደገፈ, እና anode ውስጥ ነው - አልካላይን. ሲያፈርስና electrodes ሁኔታ ውስጥ, ይህ ካቶድ electrode እምቅ የ anode ይልቅ ትልቅ እየሆነ ያለውን እውነታ ይመራል. በመሆኑም, የኤሌክትሮማግኔቲክ ወደ ካቶድ ወደ anode ከ ውጫዊ የወረዳ በኩል መንቀሳቀስ አለባቸው;

3. Donnan ውጤት ምክንያት የሚነሱ የ polyelectrolyte መፍትሔዎች መካከል ያለው ወለል ክስ, ወደ ካቶድ ላይ መስክ መፍትሔ ወደ ካቶድ ከ በኤሌክትሮን የትርፍ የሚያስተዋውቅ እንደ electrode / መፍትሄ መስክ ላይ ይፈጥራል, እና anode ላይ በመስክ - መፍትሔ ጀምሮ anode ወደ በኤሌክትሮን ግቤት;

ወደፊት 4. ሚዛን እና electrodes ላይ ምላሾች (ልውውጥ ሞገድ) ሸ አቅጣጫ ሊያድርብኝ + አየኖች ወደ anode ላይ ካቶድ እና OH- አየኖች oxidation ላይ ቀጥተኛ ቅነሳ ምላሽ, ጀምሮ ለመቀልበስ በቀላሉ ምላሽ ዞን በመተው የሚችል ጋዝ (h2 እና O2) (ለ Chatelier ዎቹ መርህ) መካከል ምስረታ የታጀቡ ናቸው.

ሙከራዎች.

ገባሪ ካርቦን እና anion ሙጫ AB-17-8 ወደ ውጭው Graphite electrode ጋር ቅልቅል - የ Donnan ውጤት በ ጭነት በመላ ቮልቴጅ መካከል የመጠን ግምገማ ለማግኘት ሙከራ ውስጥ ያለውን ካቶድ አባል ወደ ውጭው Graphite electrode እና anode ጋር የተገበሩ ካርቦን ያካተተ አልተከናወነም. ኤሌክትሮ - aqueous NaOH መፍትሄ, anode እና ካቶድ ቦታዎች አንድ ሠራሽ ከውስጡ የተለዩ ናቸው. ይህ ንጥረ ክፍት ውጫዊ electrodes ላይ 50 mV አንድ ቮልቴጅ ነበር. ውጫዊ ጭነት 10 አንድ ኤለመንት ጋር ሲገናኝ ohm ገደማ 500 microamps ከአሁኑ አስተካክለናል. ውጫዊ electrode 20 ቮልቴጅ 0C 30 እስከ የአካባቢ ሙቀት ይጨምራል mV 54 አድጓል ጊዜ. ወደ የአካባቢ ሙቀት ላይ ያለውን ቮልቴጅ እየጨመረ የሚያረጋግጥ መሆኑን emf ምንጭ ነው የበላይነት, ማለትም የ ቅንጣቶች አማቂ እንቅስቃሴ.

በውጨኛው Graphite electrode ጋር boron ያለኤሌክትሪክ (B4C, ገጽ-semiconductor) አንድ ዱቄት - ወደ ውስጠኛው HPDC ብረት / semiconductor ሙከራ ከ ጭነት በመላ ቮልቴጅ መካከል የመጠን ግምገማ ለማግኘት ሴል ካቶድ ወደ ውጭው Graphite electrode እና anode ጋር ሠራሽ Graphite ፓውደር ያካትታል ውስጥ ተካሂዶ ነበር. ኤሌክትሮ - aqueous NaOH መፍትሄ, anode እና ካቶድ ቦታዎች አንድ ሠራሽ ከውስጡ የተለዩ ናቸው. ስለ ንጥረ ነገር ቮልቴጅ መካከል ክፍት ውጫዊ electrodes ላይ ገደማ 150 mV ነበር. የ ኤለመንት 50 kOhm ቮልቴጅ ወደ ውጫዊ ጭነት በማገናኘት ጊዜ 35 ወደ ቀንሷል mV., ምክንያት የተነሳ, ከፍተኛ ውስጣዊ ተቃውሞ አባል እንደ ዝቅተኛ ነጥሎ boron ያለኤሌክትሪክ እና ወደ እንዲህ ያለ ጠንካራ ቮልቴጅ ጠብታ. እንዲህ አወቃቀር አንድ ኤለመንት ሙቀት በተቃርኖ ምርመራ ቮልቴጅ ተሸክመው አይደለም. በዚህ ምክንያት አንድ semiconductor ያህል, ኬሚካላዊ ውህደቱ ላይ የሚወሰን እውነታ ነው, doping እና ሌሎች ንብረቶች ዲግሪ, በውስጡ Fermi ደረጃ ተጽዕኖ ሊያሳድር ይችላል በተለያዩ መንገዶች የሙቀት ለውጥ. IE emf ላይ ሙቀት ውጤት ንጥረ-ነገር (መጨመር ወይም መቀነስ), በዚህ ጉዳይ ላይ ጥቅም ላይ ማቴሪያሎች ላይ የተመካ ነው, ስለዚህ ይህ አመላካች ሙከራ አይደለም.

በዚህ ነጥብ ላይ የሞባይል ካቶድ ወደ ውጭው ከማይዝግ ብረት electrode እና ውጫዊ electrode ወደ ገብሯል ካርቦን ፓውደር እና anion ሙጫ AB-17-8 ቅልቅል ጀምሮ anode ጀምሮ ጋር ገብሯል ካርቦን ፓውደር እና ኩ-2-8 ቅልቅል የተሠራ ነው ሌላ ሙከራ ቀጥሏል የማይዝግ የብረት. ኤሌክትሮ - የ NaCl መካከል aqueous መፍትሄ, ሰው ሠራሽ የተለያዩ ናቸው anode እና ካቶድ ቦታዎች ተሰማኝ. ጥቅምት 2011 ጋር በዚህ ንጥረ ነገር ምክንያት የውጭ electrodes የአጭር የወረዳ ተገብሮ ammeter ይችላሉ. 1 MA ቀንሷል አንድ ammeter, በተራው በኋላ ስለ አንድ ቀን, ይህም የሚያሳየው የአሁን - 100 mkA እስከ (ምክንያት electrodes መካከል እናትኩር የሚመስለው ሁሉ ነው), እና ከአንድ ዓመት በላይ ከዚያ በላይ አይለወጥም ስለሆነ.

በንድፈ በተቻለ ይልቅ በከፍተኛ ዝቅተኛ ይበልጥ ውጤታማ ቁሳቁሶች inaccessibility አገኘሁ ውጤቶች ጋር በተያያዘ ከላይ የተገለጸው ተግባራዊ ሙከራዎች ውስጥ. በተጨማሪም ጠቅላላ የውስጥ emf ክፍል መገንዘብ ንጥረ ነገር ሁልጊዜ electrode ምላሽ (ሃይድሮጅን እና ኦክስጅን ውስጥ ምርት) በመግለጻቸው ፍጆታ እና ውጫዊ የወረዳ ውስጥ የሚለካው አይችልም.

ማጠቃለያ.

ጠቅለል, እኛ አንድ "ማሞቂያ" አካባቢ እንደ በመጠቀም እና "ማቀዝቀዣ" የሌላቸው ሳለ ተፈጥሮ, ለእኛ ጠቃሚ ኃይል ወይም ስራ ወደ አማቂ ጉልበት መለወጥ ያስችላቸዋል ብለን መደምደም እንችላለን. በመሆኑም Donnan ተጽዕኖ እና የውስጥ ውስጥ እንዲከፍል ቅንጣቶች የተቀየረ አማቂ ኃይል ከሆነ የኤሌክትሪክ መስክ ኃይል ወደ endothermic ምላሽ ሙቀት እንደ DEL የኬሚካል ኃይል ወደ የሚቀየር ነው.

ተደርገው የእውቂያ አባል በመካከለኛ እና ከውኃ ሙቀት ሲበላው, እና የኤሌክትሪክ ኃይል, ሃይድሮጅን እና ኦክስጅን የሚያከፋፍለውን! ከዚህም በላይ, የኃይል ፍጆታ ሂደት እና ነዳጅ እንደ ሃይድሮጅን አጠቃቀም, እና ውሃ ሙቀቱ መካከለኛ ወደ ኋላ ይመለሳል!

ስለ አባሪ ክፍል 3.

ይህ ክፍል ተጨማሪ አባሉ ውስጥ redox ምላሽ እና electrode አቅም ላይ ያለውን ውስጣዊ HPDC ብረት / semiconductor እና Peltier ሙቀት ያለውን መጋጠሚያ ላይ Donnan የተፈጠሩበት ውጤት ተብራርቷል.

Donnan እምቅ (አባሪ №1)

polyelectrolyte ለ Donnan ዕምቅ ክስተት ያለውን ዘዴ እንመልከት. dissociation polyelectrolyte counterions ወደ macromolecule ወዳሉበት መጠን በመተው, የሕግ የበላይነት በማድረግ, በውስጡ ትንሽ ይጀምራሉ በኋላ. መፍትሄ የቀረውን ጋር ሲነጻጸር እንደ የማሟሟት ውስጥ አነስተኛ መጠን polyelectrolyte macromolecules መካከል counterions መካከል ቅጣጫ A ደረጃጀት ወደ macromolecule ያለውን በገፍ ጨምሯል ማጎሪያ ምክንያት ነው. ለምሳሌ ያህል, ትናንሽ counterions አሉታዊ የሚከፍሉ ከሆነ በተጨማሪም, ይህ macromolecule ውስጠኛ ክፍል አዎንታዊ እንዲከፍል መሆኑን ያስከትላል, እና መፍትሔ macromolecule ያለውን መጠን ወዲያውኑ አጠገብ ነው - አሉታዊ. IE አሉታዊ እንዲከፍሉ - አንድ አዎንታዊ ክስ macroion መጠን ዙሪያ, ትንሽ ግብረ-አየኖች "አዮን ከባቢ" አንድ ዓይነት ነው. ማቋረጥ ዋህስ ከባቢ ክፍያ ዕድገት ሲከሰት ጊዜ electrostatic መስክ ወደ አዮን መጠን macroion ከባቢ እና ሚዛን አነስተኛ counterions ያለውን የፍል ደረጃጀት መካከል. ከባቢ አየር እና ዋህስ macroions መካከል ያለው ምክንያት የተፈጠሩበት እምቅ ልዩነት Donnan እምቅ ነው. Donnan እምቅ ደግሞ ተብሎ ተጠርቷል , ገለፈት እምቅ ምክንያት ችሎታ እና ንጹህ የማሟሟት መካከል therethrough ሲያልፍ ችሎታ አይደለም - ይህ ሁለት ዓይነት አቶሞች ያለውን ኤሌክትሮ መፍትሔ በሚለይበት ጊዜ ተመሳሳይ ሁኔታ, ለምሳሌ ያህል, አንድ semipermeable ሽፋን ላይ የሚከሰተው.

Donnan እምቅ (በዚህ ጉዳይ macroion ውስጥ) አየኖች አንዱ የመንቀሳቀስ ዜሮ ነው ወቅት የሕግ የበላይነት እምቅ የሆነ በመገደብ ጉዳይ, ተደርገው ሊወሰዱ ይችላሉ. ከዚያም, [1, ገጽ መሠረት. አንድ እኩል ግብረ ኃላፊነት በመውሰድ 535]:

ኢ መ = (RT / F) ln ( A1 / A2), የት

Ed - Donnan እምቅ;

R - ሁለንተናዊ ጋዝ በቋሚ;

T - thermodynamic ሙቀት;

የ F - Faraday በቋሚ;

A1, A2 - የእውቂያ ደረጃዎች ውስጥ ግብረ-እንቅስቃሴ.

ይህ ገለፈት poliosnovaniya መፍትሔ በመለየት በውስጧ አባል, (ፒኤች = LG የ 1 = 14) እና polyacid ውስጥ (ፒኤች = LG የ 2 = 0) ክፍል ሙቀት ላይ ገለፈት ባሻገር, Donnan እምቅ (T = 300 0 K) ይሆናል:

ኢ መ = (RT / F) (LG የ 1 - LG የ 2) ln (10) = (8,3 * 300/96500 ) * (14 - 0) * ln (10) = 0.83 ቮልት

ሙቀት በቀጥታ እንናገር Donnan እምቅ ይጨምራል. የ electrochemical ሕዋስ Peltier ሙቀት ደረጃጀት ጠቃሚ ሥራ ምርት ለማግኘት ብቸኛ ምንጭ ነው, እንዲህ ያሉ ንጥረ emf የሚያስገርም አይደለም ሙቀት እየጨመረ ጋር ይጨምራል. የሥራ ምርት ለማግኘት A ደረጃጀት ሕዋስ ውስጥ, Peltier ሙቀት ሁልጊዜ አካባቢ የተወሰደ ነው. በ EDL በኩል በአሁኑ ፍሰቶች DES ሜዳ ላይ አዎንታዊ አመራር ጋር ተገጣጥሞ አንድ አቅጣጫ Donnan ውጤት, እስኪሣል ጊዜ (ዲኢኤስ መስክ አዎንታዊ ስራ እንደሚሰራ ጊዜ ማለትም,), ሙቀት በዚህ ወረቀት ላይ ምርት ለማግኘት አካባቢ ከ ያረፈ ነው.

ነገር ግን የሕግ የበላይነት አባል ውሎ አድሮ, ፍንጣቂዎች quasistatic ሞገድ አዮን ትኩረት የሆነ ሁኔታ, በአንድ የተወሰነ እሴት ደርሷል በኋላ በውስጧ የተፈጠሩበት Donnan, በተቃራኒ ማጎሪያ ያለውን equalization ይመራል እና ደረጃጀት መመሪያ ማቆም ይህም አዮን ትኩረት, አንድ ቀጣይነት እና unidirectional ለውጥ, ያልተለወጠ ይቆያል ነው .

በለስ. 2 ሃይድሮጅን እና መፍትሄ ያለውን የአሲድ መለወጥ ጊዜ ኦክስጅን ውስጥ ምላሽ ያለውን redox ሊያስከትለው የሚችለው አንድ ንድፍ ያሳያል. ከገበታው OH- አየኖች በሌለበት ውስጥ የኦክስጅን ምስረታ ምላሽ (አንድ አሲዳማ አካባቢ በ 1.23 ቮልት) መካከል electrode እምቅ ከፍተኛ ማጎሪያ 0.83 ቮልት ላይ (አንድ የአልካላይን መካከለኛ ውስጥ 0.4 ቮልት) ላይ ተመሳሳይ እምቅ የተለየ መሆኑን ያሳያል. በተመሳሳይም, H + አለመኖር (የአልካላይን መካከለኛ ውስጥ -0,83 ቮልት) ውስጥ ሃይድሮጂን-መፈጠራቸውን ምላሽ ያለውን electrode እምቅ ደግሞ 0.83 ቮልት [4 ላይ, ከፍተኛ የማጎሪያ (አንድ አሲድ መካከለኛ 0 V) ላይ ተመሳሳይ እምቅ የተለየ ነው. 66-67]. IE ግልጽ መሆኑን 0.83 ቮልት በሚመለከታቸው በሴሎች ውስጥ ውኃ ከፍተኛ ትኩረት ለማግኘት ሲሉ ያስፈልጋል. ይህ 0.83 ቮልት H + እና OH- አየኖች ወደ ውኃ ሞለኪውሎች ገለልተኛ dissociation አንድ የጅምላ ያስፈልጋል ማለት ነው. የ ገለፈት የእኛ አባል ካቶድ ቦታ አሲዳማ መካከለኛ ውስጥ እና የአልካላይን anodic ውስጥ የሚደገፍ ከሆነ በመሆኑም: የ ቮልቴጅ ቀደም ሲል ያቀረበው በንድፈ ስሌቶች ጋር ጥሩ ስምምነት ውስጥ ነው ያለው DEL 0.83 ቮልት, መድረስ ይችላሉ. ይህ ቮልቴጅ በውስጧ አየኖች ወደ ውኃ dissociation በማድረግ ከፍተኛ conductivity ቦታ DES ሽፋን ይሰጣል.

በለስ. 2. ሥዕላዊ redox ምላሽ አቅም

ውሃ ውህድ, እና ሸ + አየኖች እና ሃይድሮጅን እና ኦክስጅን ወደ OH-.

ከሆነ Peltier ሙቀት (አባሪ №2)

"የ Peltier ውጤት ያለው መንስኤ ሌላ በኤሌክትሮን ወደ አንድ የጥናቱ ከ ሽግግር ውስጥ የተለያዩ በተለያዩ conductors ውስጥ የኤሌክትሪክ conductivity ውስጥ ተሳታፊ (የማይደገም የኤሌክትሮማግኔቲክ ለ) ክሱ አጓጓዦች ... አማካይ ኃይል ወይም ከመጠን ያለፈ ኃይል ፍርግርግ ማስተላለፍ ወይም ወጪ ኃይል ማጣት ልንደገፍ ነው (በአሁኑ አቅጣጫ ላይ በመመስረት).

በለስ. 3. የእውቂያ ብረት እና semiconductor n- ላይ Peltier ውጤት: ԐF - Fermi ደረጃ; ԐC - የ semiconductor ያለውን conduction ባንድ ታችኛው; ԐV - valence ባንድ; እኔ - የአሁኑ አዎንታዊ አቅጣጫ; ቀስቶች ጋር ክበቦች schematically የኤሌክትሮማግኔቲክ ይታያሉ.

የእውቂያ አቅራቢያ በመጀመሪያው ጉዳይ ላይ የተለቀቁ ሲሆን ሁለተኛው ነው - ተብሎ የሚጠራውን ያረፈ .. Peltier ሙቀት. ለምሳሌ ያህል, የእውቂያ semiconductor ላይ - የብረት (ስእል 3) ብረት (ይቀራል ንካ) ወደ n-ዓይነት semiconductor እንድታልፍ ያለውን የኤሌክትሮማግኔቲክ የኃይል የ Fermi የኃይል ԐF የበለጠ ጉልህ የሆነ ከፍ ነው. ስለዚህ እነርሱ ብረት ውስጥ የፍል የተፈጠሩበት እየጣሱ ነው. የተፈጠሩበት, ግጭቶች ምክንያት ተመልሷል ውስጥ ከመጠን ያለፈ ኃይል መስታወት በመስጠት, የኤሌክትሮማግኔቲክ thermalized ነው. ፍርግርግ. በ ብረት ውስጥ በኤሌክትሮን ጋዝ የሚናገሯቸው ስለዚህ semiconductor ብረት (በቀኝ ንክኪ), ብቻ በጣም ጉልበት ካላቸው የኤሌክትሮማግኔቲክ ማለፍ ይችላሉ. oscillation የኃይል ፍጆታ በፍርግርጉ መካከል የተፈጠሩበት ስርጭት "[2, ገጽ የሚታደስበት ላይ. 552].

የ ብረት / p-semiconductor ሁኔታ ተመሳሳይ ነው ያነጋግሩ. ስለ ገጽ-conductivity semiconductor ቀዳዳዎች ወደ Fermi ደረጃ በታች ነው ያለው valence ባንድ ማቅረብ, ከዚያም የእውቂያ ውስጥ የኤሌክትሮማግኔቲክ ወደ ብረት ወደ ገጽ-semiconductor ከ ይፈስሳሉ, እንዲቀዘቅዝ ይደረጋል. Peltier ሙቀት ከእስር ወይም ምክንያት አሉታዊ ወይም የውስጥ ከሆነ መካከል አዎንታዊ ያለውን ምርት, ሁለት conductors መካከል ያለውን ግንኙነት አዘውትር.

ምሳሌ የሚሆን Peltier ሙቀት ምደባ, አንድ electrolytic ሴል, aqueous NaOH መፍትሔ (ስእል 4) እና የብረት semiconductor እና በኬሚካል ሲያፈርስና መሆን n-ይሁን የትኛው ላይ በግራ የእውቂያ ክፍተት (የበለስ. 3) ውስጥ ተካተዋል.

በለስ. 4. የግራ የእውቂያ n-semiconductor እና ብረት ክፍት እና ኤሌክትሮ መፍትሔ ክፍተት ውስጥ ይመደባሉ ነው. ምደባዎች የበለስ ውስጥ ተመሳሳይ ናቸው. 3.

የአሁኑ ፍሰቶች ጊዜ «እኔ», ምክንያቱም, ከፍተኛ የኃይል ውስጥ n-የኤሌክትሮማግኔቲክ መካከል semiconductor ብረት ውስጥ መፍትሔ ወጥተው መምጣት ይልቅ መፍትሔ ሲመጡ, ይህ ከልክ በላይ ሃይል (Peltier ውስጥ ሙቀት) ወደ ሴል ውስጥ መቆም አለበት.

የ ሴል አማካኝነት የአሁኑ በውስጧ ጭሱን electrochemical ምላሽ ብቻ ጉዳይ ሊሆን ይችላል. ወደ ሕዋስ ውስጥ exothermic ምላሽ ከሆነ, Peltier ሙቀት እንደ ሴል ውስጥ የተለቀቁ ነው ተጨማሪ እሷ ለመሄድ የሚያስጠጋበት የለውም አለው. ወደ ሕዋስ ውስጥ ያለው ምላሽ ከሆነ - endothermic, የ Peltier ሙቀት endothermic ውጤት ለማካካስ በሙሉ ወይም በከፊል ነው; ማለትም, አንድ ምላሽ ምርት ለማቋቋም. በዚህ ምሳሌ ውስጥ, ጠቅላላ ሕዋስ ምላሽ: 2H2O 2H2 → ↑ + O2 ↑ - endothermic, የ Peltier ሙቀት (ሃይል) ሞለኪውሎች መፍጠር ነው እና h2 O2, በ electrodes ላይ መቀመጣቸውን እንዲሁ. በመሆኑም, እኛ መብት n-የእውቂያ semiconductor / ብረት ውስጥ መካከለኛ ውስጥ የተመረጠው Peltier ሙቀት ወደ አካባቢ ወደ ያልተለቀቁ ነው, እና ወደ ሃይድሮጅን እና ኦክስጅን ሞለኪውሎች የኬሚካል ሃይል መልክ ውስጥ የተከማቸ መሆኑን ማግኘት. ግልጽ, ውጫዊ ቮልቴጅ ምንጭ አሠራር ወደ Peltier ውጤት ምንም ክስተት እንዲፈጠር, ተመሳሳይ electrodes ሁኔታ ውስጥ ያነሰ ይሆናል በዚህ ሁኔታ ውስጥ, ውኃ በኮረንታዊ ለ ፍጆታ ነው ..

በየትኛውም electrodes መካከል ንብረቶች ወደ electrolytic ሕዋስ ራሱን ለመቅሰም ወይም Peltier የአሁኑ በውስጥም በውጭም በኩል እያለፈ ጊዜ ሙቀት ማመንጨት ይችላሉ. የ ዘይቤን በመጠቀም የማይንቀሳቀስ ሁኔታ, የ ጊብስ ሴሎች [4 ያለውን እምቅ ለውጥ, ገጽ. 60]:

Δ G = Δ ሸ - ቲ Δ S, የት

Δ ሸ - የ ሴል enthalpy ለውጥ;

T - thermodynamic ሙቀት;

Δ S - ስለ ሴል entropy ውስጥ ለውጥ;

ጥ = - T Δ S - የ Peltier ሴል ውስጥ ሙቀት.

284.5 (ኪጁ / mol) [8, ገጽ - ቲ = 298 (K), enthalpy ΔHpr = ውስጥ ለውጥ ላይ ሃይድሮጅን-የኦክስጅን electrochemical ሕዋስ ለ. 120], እምቅ በ ጊብስ ውስጥ ለውጥ [4. ሀ. 60]:

ΔGpr = - zFE = 2 * 96485 * 1.23 = - 237.3 (ኪጁ / mol), የት

z - ሞለኪውል በአንድ የኤሌክትሮማግኔቲክ ብዛት;

የ F - Faraday በቋሚ;

ኢ - emf ሕዋስ.

ስለዚህ

ጥ Ave = - T Δ S Ave = Δ G ወዘተ - Δ ሸ ወዘተ = - 237,3 + 47,2 = 284,5 (ኪጁ / mol)> 0,

ማለትም የራሱ entropy በማሻሻል እና አወረዱት ሳለ ሃይድሮጅን-ኦክሲጅን electrochemical ሴል, በ Peltier አካባቢ ሙቀት ያመነጫል. ከዚያም የእኛን ምሳሌ ውስጥ ያለው ሁኔታ ነው የተገላቢጦሽ ሂደት, ውሃ በኮረንታዊ, ውስጥ, Peltier ሙቀት ጥ Mod = - ጥ Ave = - የ ኤሌክትሮ መካከል 47.3 (ኪጁ / mol) በአካባቢ ከ ያረፈ ይሆናል.

መብት n-የእውቂያ semiconductor / ብረት ውስጥ አካባቢ የተወሰዱ Peltier ሙቀት - P ያመለክታል. የ ሙቀት p> 0 ያለውን ሴል ውስጥ ቁሙ; ነገር ግን አለበት ምክንያቱም ወደ ሕዋስ endothermic ምላሽ ውስጥ ውሃ ውህድ (Δ ሸ> 0), የ Peltier ሙቀት P ምላሽ ያለውን የፍል ውጤት ለማካካስ ነው:

Δ ጂ መድረሻ = (Δ ሸ መድረሻ - n) + Q ን Mod                                                                        (1)

Mod ጥ ጀምሮ, ብቻ ኤሌክትሮ ስብጥር ላይ ይወሰናል ይህ ሲያፈርስና electrodes ጋር electrolytic ሴል አንድ ባሕርይ ነው, እና n ብቻ electrode ቁሶች ላይ ጥገኛ ነው.

(1) ቀመር የ Peltier P እና Peltier ሙቀት, ሞድ ጥ ለማሞቅ ጠቃሚ ሥራ የምርት እንደሆኑ ያሳያል. IE በመካከለኛ ይወገድ Peltier ሙቀት በኮረንታዊ የሚያስፈልገውን ከውጫዊ የኃይል ምንጭ ወጪ ይቀንሳል. ሙቀት በመካከለኛ ጠቃሚ ሥራ ምርት የኃይል ምንጭ የሚሆንበት ሁኔታ, የሕግ የበላይነት ባሕርይ ነው, እንዲሁም ብዙ electrochemical ሕዋሳት ያህል, እንዲህ ያሉ ንጥረ ነገሮች ምሳሌዎች [3, ገጽ ላይ ይታያሉ. 248 - 249].

ማጣቀሻ

1. Gerasimov ችርስቶስን. አካላዊ የኬሚስትሪ I. እርግጥ ነው. ማጠናከሪያ ትምህርት: ዩኒቨርሲቲዎች ነበርና. V 2 t. T.II. - 2 ኛ አዘጋጅ .. - መ. ኬሚስትሪ, ሞስኮ, 1973 - 624 ገጽ.
2. Dashevskiy 3. ኤም Peltier ውጤት. // አካላዊ ኢንሳይክሎፒዲያ. 5 ሜ. ቲ III ውስጥ. Magneto - Poynting እርጉጥ. / CH. Ed. ሀ ኤም Prohorov. Ed. መቁጠር. DM Alekseev, ኤ ኤም Baldin, AM Bonch-Bruevich, ሀ Borovik-Romanov እና ሌሎችም - መ:.. ታላቅ የሩሲያ ኢንሳይክሎፒዲያ, 1992 - 672 ገጽ. - ISBN 5-85270-019-3 (3 ሜ.); ISBN 5-85270-034-7.
3. Krasnov ኬኔት ፊዚካል ኬሚስትሪ. 2 መጻሕፍት ውስጥ. ጥራዝ. ማተር 1. አወቃቀር. የቴርሞዳይናሚክስ: አዋጅ. የሁለተኛ ደረጃ ትምህርት ቤቶች; ኬኔት Krasnov, ኤን ኬ Vorobev, I. et al Godnev -. 3 ኛ አዘጋጅ .. - መ. የከፍተኛ. ሳም, 2001 -. 512. - ISBN 5-06-004025-9.
4. Krasnov ኬኔት ፊዚካል ኬሚስትሪ. 2 መጻሕፍት ውስጥ. ጥራዝ. 2. Electrochemistry. የኬሚካል kinetics እና catalysis: አዋጅ. የሁለተኛ ደረጃ ትምህርት ቤቶች; ኬኔት Krasnov, NK Vorobyov I. ኤን Godnev et al. -3 አዘጋጅ., ራዕ - መ. የከፍተኛ. ሳም, 2001 -. 319. - ISBN 5-06-004026-7.
5. ፊዚክስ Sivukhin DV አጠቃላይ አካሄድ. ማጠናከሪያ ትምህርት: ዩኒቨርሲቲዎች ነበርና. 5 ሜትር ውስጥ. T.III. የኤሌክትሪክ. - 4 ኛ አዘጋጅ, ግትርነት .. - መ: FIZMATLIT;. የ MIPT ቤት ማተም, 2004 - 656 ገጽ. - ISBN 5-9221-0227-3 (3 ሜ.); 5-89155-086-5.
6. ፖሊመሮች መካከል Tager ሀ ሀ አካላዊ የኬሚስትሪ. - መ. ኬሚስትሪ, ሞስኮ, 1968 - 536 ገጽ.
7. Corr አርትዕ የተደረገ የሩሲያ እትም የደራሲውን ማሻሻያዎች, ጋር ጀርመንኛ ቋንቋ የተተረጎመ Vetter ኬ Electrochemical kinetics,. ሳይንስ ፕሮፌሰር መካከል የተሶሶሪ አካዳሚ. Kolotyrkin ኤም - መ. ኬሚስትሪ, ሞስኮ, 1967 - 856 ገጽ.
8. ፒ አትኪንስ ፊዚካል ኬሚስትሪ. 2 ቁ. T.I. ውስጥ, ኬሚካል ሳይንስ Butin KP መካከል ዶክተር የእንግሊዝኛ ቋንቋ የተተረጎመ - መ. Mir, ሞስኮ, 1980 - 580 ገጽ.