አስገራሚ semiconductor መሳሪያ - አንድ መሿለኪያ diode

በጥናቱም ያለውን ዘዴ በማጥናት ጊዜ አንድ የ AC ሁለት የተለያዩ አካባቢዎች መካከል ግንኙነት በጣቢያው ላይ - ወደ semiconductor እና ብረት, ይህም ከክፍያ አጓጓዦች መካከል እንዲሁ-ተብለው ማስተላለፊያ ላይ የተመሠረተ ነው የሚል መላምት ላይ ቆይቷል. ይሁን እንጂ በዚያን ጊዜ (1932) semiconductor ቴክኖሎጂ ልማት ደረጃ ላይ empirically ወደ ጥርጣሬን ለማረጋገጥ አይፈቀድም. ብቻ በ 1958, አንድ የጃፓን ሳይንቲስት Esaki በታሪክ ውስጥ የመጀመሪያው መሿለኪያ diode በመፍጠር, ቢደምቅ ይህን ለማረጋገጥ ችሏል. እናመሰግናለን የራሱ አስደናቂ ጥራት (ለምሳሌ, ፍጥነት) ዘንድ, ይህ ምርት በተለያዩ የቴክኒክ መስኮች ላይ ልዩ ትኩረት ስቧል. ይህን ለማስረዳት ዋጋ ነው diode መሆኑን - የኤሌክትሮኒክ መሣሪያ, conductivity የተለያዩ ዓይነቶች ያላቸው ሁለት የተለያዩ ዕቃዎች በአንድ አካል አንድ ማሕበር ነው. ስለዚህ, የኤሌክትሪክ የአሁኑ ብቻ በአንድ አቅጣጫ በኩል ይፈስሳሉ ይችላሉ. የ diode መካከል "መዝጋት" ውስጥ polarity ውጤት መቀየር እና መቋቋም መጨመር. የ ቮልቴጅ እየጨመረ አንድ "ውድቀት" ጋር ይመራል.

እንዴት በዋሻው diode እንመልከት. ክላሲክ rectifier semiconductor መሣሪያ 17 ዲግሪ (ዲግሪ -3 ሳንቲሜትር) በ 10 በላይ አይደለም የበለጠ ከቆሻሻው በርካታ ያለው አንድ ክሪስታል ይጠቀማል. ይህ ግቤት ነጻ ክፍያ አጓጓዦች ቁጥር በቀጥታ የተዛመዱ ስለሆነ እንዲሁም, ይህም ቀደም ሲል የተገለጸው ድንበሮች በላይ ሊሆን ፈጽሞ አይችልም እንደሆነ ይንጸባረቅበታል.

ወደ መካከለኛ ዞን (የሽግግር pn) ያለውን ውፍረት ለመወሰን የሚፈቅድ ቀመር አለ:

L = ((ኢ * (UK-U)) / (2 * ፓይ * q)) * ((ናኦሚ + ግኘት) / (ናኦሚ * ግኘት)) * 1050000,

የት ናኦሚ እና ግኘት - በቅደም ionized ለጋሾች እና acceptors, ብዛት; Pi - 3.1416; ጥ - እሴት በኤሌክትሮን ከክፍያ; ዩ - ቮልቴጅ ተተግብሯል; ኪንግደም - ከሽግግሩ ላይ ሊያስከትለው የሚችለው ውስጥ ልዩነት; ኢ - ዋጋ ያለውን dielectric በቋሚ.

የቀመሩ አንድ ውጤት እውነታ ነው አንድ ክላሲካል pn የሽግግር diode ባሕርይ ዝቅተኛ መስክ ጥንካሬ እና በአንጻራዊነት ትልቅ ውፍረት ለ. የኤሌክትሮማግኔቲክ አንድ ነጻ ቀጠና ማግኘት እንደሚችል, እነሱ (ወደ ውጭ እናካፍላችሁ) ተጨማሪ ኃይል ያስፈልገናል.

ክላሲካል ጀምሮ ብዙ የተለየ ነው; ይህም 20 (ሴ.ሜ -3 ዲግሪ) ወደ 10 ዲግሪ ወደ ርኵሰት ይዘት መለወጥ መሆኑን semiconductor ያላቸው የግንባታ እንደዚህ ዓይነት ውስጥ በመጠቀም ማስተላለፊያ diode. ተጨማሪ ጉልበት አያስፈልገውም ወደ valence ባንድ ወደ በኤሌክትሮን ሲገባ ይህ መሿለኪያ ሽግግር የሆነ ድራማዊ ከሽግግሩ ያለውን ውፍረት ውስጥ ቅነሳ, በዚህም ስለታም ወደ pn ክልል ውስጥ በመስክ ኃይለኛ ጭማሪ እና, ክስተቶች ይመራል. ምክንያቱም ይህ በሚሆንበት የኃይል ደረጃ ወደ ቅንጣቶች ምንባብ አጥር ጋር አይለወጥም. በዋሻው diode በውስጡ ያለውን መደበኛ በቀላሉ ተለይቷል ቮልት-ampere ባሕርይ. አሉታዊ ልዩነት የመቋቋም - ይህ ውጤት በላዩ ላይ ሲነሳ አንድ ዓይነት ይፈጥራል. ይህን ማስተላለፊያ ወደ ዳዮዶች በስፋት እርግጥ ነው, ትክክለኛ የመለኪያ መሣሪያዎች, ማመንጫዎች, (ውፍረት ቅነሳ pn ክፍተት እንደዚህ ያለ መሣሪያ ከፍተኛ-ፍጥነት ያደርገዋል) እና, ኮምፒውተሮች ከፍተኛ ድግግሞሽ መሣሪያዎች ጥቅም ላይ ይውላሉ ምክንያት.

ጊዜ የአሁኑ ቢሆንም በዋሻው ውጤት በቀጥታ, የሽግግር ሰቅ ይጨምራል ውስጥ diode ውጥረት በማገናኘት ማስተላለፊያ ምንባብ የሚችል የኤሌክትሮማግኔቲክ ብዛት በመቀነስ, በሁለቱም አቅጣጫዎች ውስጥ መፍሰስ ይችላል. ቮልቴጅ ጭማሪ ያለውን ማስተላለፊያ የአሁኑ ሙሉ በሙሉ እንዲጠፉ ይመራል እና ውጤት ብቻ ተራ የእንቅርት ላይ (ክላሲክ diode ውስጥ ያሉ) ነው.

LED መጋፈጥ - ያሉ መሣሪያዎች ሌላ ተወካይ ደግሞ አለ. ይህ ግን የተቀየሩ ባህርያት ጋር ተመሳሳይ መሿለኪያ diode ይወክላል. ልዩነቱ በተለመደው በጥናቱም መሣሪያ "ተቆልፏል" ውስጥ ጀርባና ግንኙነት, ያለውን conductivity ዋጋ, ይህ ቀጥተኛ ውስጥ ከፍ ያለ መሆኑን ነው. የቀሩት ንብረቶች በዋሻው diode ጋር ይዛመዳሉ: አፈጻጸም, ዝቅተኛ ራስን ጫጫታ, ወደ ተለዋዋጭ ክፍሎች ቀጥ ችሎታ.